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國(guó)產(chǎn)等離子刻蝕機(jī)是一種用于微納加工的設(shè)備，它采用等離子體技術(shù)對(duì)微電子器件進(jìn)行精確刻蝕，是半導(dǎo)體工業(yè)中*關(guān)鍵設(shè)備之一。它主要由核心部件、控制系統(tǒng)和輔助設(shè)備組成。核心部件包括真空室、等離子氣體供應(yīng)系統(tǒng)、射頻發(fā)生器、陰極材料等元件，這些元件協(xié)同工作可以產(chǎn)生高能量的等離子體束，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅基材料的精確刻蝕。控制系統(tǒng)則包括程序控制器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、參數(shù)設(shè)置系統(tǒng)等，通過這些系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的自動(dòng)化控制和運(yùn)行優(yōu)化。輔助設(shè)備則包括真空泵、水冷裝置、氣體凈化裝置等，這些設(shè)備保證了設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行所需的...

多功能微納結(jié)構(gòu)寬帶吸收器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用電子科技大學(xué)老師使用PLUTO-T型等離子清洗機(jī)，應(yīng)用于制備具有超柔性超疏水的等離激元TiN吸收器。通過將TiN納米顆粒和聚二甲基硅氧烷溶液進(jìn)行耦合，構(gòu)建了具有優(yōu)異的光吸收、光熱效應(yīng)及超疏水性，強(qiáng)健的機(jī)械柔韌性、抗沖擊性、耐磨性及自修復(fù)能力的等離激元TiN吸收器。4.2.3.3自修復(fù)測(cè)試自修復(fù)測(cè)試是通過使用等離子體撞擊樣品表面及光照愈合的方法進(jìn)行的。首先，將樣品放入氧等離子體儀中，功率設(shè)為150W。用氧等離子體轟擊樣品表面3分鐘，涂層變?yōu)槌?..

等離子體處理對(duì)于聚丙烯微流控芯片粘接強(qiáng)度的影響聚丙烯（Polypropylene，PP）材料是一種熱塑性半結(jié)晶塑料，其具有價(jià)格低廉、易于加工成型以及生物兼容性良好等優(yōu)點(diǎn)，因此PP可以被用于微流控芯片的加工制作。微流控芯片是將通道、反應(yīng)池等功能模塊集成在微米尺度的一種微流體操作平臺(tái)。等離子體處理是利用等離子體中的高能態(tài)粒子打斷聚合物表面的共價(jià)鍵，等離子體中的自由基則與斷開的共價(jià)鍵結(jié)合形成極性基團(tuán)，從而提高了聚合物表面活性。于此同時(shí)，等離子體對(duì)高分子聚合物表面存在物理刻蝕作用，導(dǎo)...

單層MoS2光電探測(cè)器的制備和性能調(diào)控二維過渡金屬硫化物(2D-TMDS)材料(如M0S2、WS2、SnS2NbS2)具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、光電學(xué)、力學(xué)等性能，材料厚度為0.1?Inm,具有理想的半導(dǎo)體帶隙(1.5-2.1eV),以及強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用，成為下一代微型、高靈敏度、高穩(wěn)定、透明性的光電探測(cè)器的理想材料。對(duì)單層MoS2光電探測(cè)器進(jìn)行氧等離子處理，氧等離子處理工藝是：將制備出的單層MoS2光電探測(cè)器放置于低溫氧等離子環(huán)境中，氧等離子體機(jī)的放電功率均設(shè)置為10W,...

TiO2/二維(ReS2,GeTe)薄膜異質(zhì)結(jié)光催化劑制備及光電催化性能研究PLUTO-T型等離子清洗機(jī)適合在大學(xué)實(shí)驗(yàn)室和研究機(jī)構(gòu)使用的實(shí)驗(yàn)室桌面型等離子清洗機(jī)。性能穩(wěn)定，操作方便，參數(shù)響應(yīng)反饋及時(shí)，深得科研人員的喜愛和贊同。浙江大學(xué)客戶使用PLUTO-T型等離子清洗機(jī)發(fā)表了論文。（1）采取球磨與超聲液相輔助剝離法制備二維層狀ReS2納米片，所制得的納米片尺寸約為200nm，厚度小于10nm。通過滴涂法工藝在一維TiO2垂直納米棒（NRs）陣列薄膜上涂覆ReS2納米片制備Ti...